基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
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基本半导体与罗姆签订车载碳化硅功率器件战略合作伙伴协议
日前，深圳基本半导体有限公司与全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.在位于日本京都的罗姆总部签订车载碳化硅功率器件战略合作伙伴协议。此次签约，双方将充分发挥各自的产业优势，就碳化硅功率器件的创新升级、性能提升等方面展开深度合作。
2022-11-15 - 原厂动态
发布时间 : 2025-03-03
碳化硅功率器件 · 门极驱动芯片
深圳基本半导体股份有限公司专注于碳化硅功率器件的研发与产业化，提供碳化硅二极管、MOSFET芯片、功率模块和驱动芯片等产品。公司产品应用于光伏储能、电动汽车、轨道交通等领域，具有高效、低损耗等特点。
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罗姆半导体一行参观基本半导体汽车级碳化硅功率模块制造基地，就进一步加强战略合作展开深入交流
8月24日，罗姆半导体集团董事、常务执行官、CFO伊野和英博士，执行官、功率元器件事业本部长野间亚树，罗姆半导体（上海）有限公司董事长藤村雷太等一行莅临基本半导体，并在基本半导体董事长汪之涵博士、总经理和巍巍博士等高管的热情陪同下，参观了公司汽车级碳化硅功率模块制造基地，双方就进一步加强战略合作展开了深入的交流。
2023-08-31 - 原厂动态
【产品】采用标准HPD封装的汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6，提高系统输出电流能力10%
汽车级全碳化硅三相全桥MOSFET模块Pcore™6是基本半导体基于广大汽车厂商对核心牵引驱动器功率器件的高性能、高效率等需求设计并推出的产品。该产品采用标准HPD封装，并在功率模块内部引入了先进的有压型银烧结连接工艺，以及高密度铜线键合技术。
2022-09-17 - 新产品
B4D60120H2 SiC肖特基二极管
本资料介绍了B4D60120H2型碳化硅肖特基二极管的产品特性、最大额定值、电气特性、典型性能和应用领域。该器件采用TO-247-2封装，具有低漏电流、零反向恢复电流、温度独立开关行为等特点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、服务器/电信电源、功率因数校正和太阳能等领域。
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B2M080120R SiC MOSFET
本资料介绍了B2M080120R型号的碳化硅(SiC) MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻和高阻断电压的特点，适用于高频操作，提高功率密度并减少散热器需求。
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国产第三代半导体领军企业探究SiC材料特性及缺陷产生的原因，提升碳化硅功率器件的可靠性
碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，国产第三代半导体领军企业基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2021-01-30 - 原厂动态
基本半导体闪耀亮相PCIM Europe，多款碳化硅新品全球首发
当地时间5月6日上午，全球电力电子领域的“顶流”盛会——PCIM Europe 2025在德国纽伦堡会展中心盛大开幕。基本半导体携全系列碳化硅功率器件及门极驱动解决方案盛装亮相，并隆重发布新一代碳化硅MOSFET、工业级及汽车级碳化硅功率模块等多款新品，为新能源汽车、光伏储能、工业电源、通信电源等行业带来了更高效可靠的能源转换解决方案。
2025-05-29 - 原厂动态
B2D40120HC1 SiC肖特基二极管
本资料介绍了B2D40120HC1型号的碳化硅肖特基二极管。该器件具有低反向电流、无反向恢复电流、温度独立开关特性等优点，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源、电机驱动器和功率因数校正等领域。
基本半导体 - 碳化硅肖特基二极管,功率因素矫正,SIC SCHOTTKY DIODE,B2D40120HC1,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,POWER FACTOR CORRECTION,电动机驱动器,不断电系统,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,SMPS,模式电源开关,MOTOR DRIVERS 2022-06-15 - 数据手册 - Rev. 0.0
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可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
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